I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1 Specifications
1.2 Pin Description
IX2127
1.1 Package Pinout
Pin#
Name
Description
V CC
IN
FAULT
COM
1
2
3
4
8
7
6
5
V B
HO
CS
V S
1
2
3
4
5
V CC
IN
FAULT
COM
V S
Logic Supply Voltage
Logic Input
Fault Indicator Output
Logic Ground
High Side Return
6
7
8
CS
HO
V B
Comparator Input,
Over-Current Detect
High Side Gate Drive Output
High Side Supply Voltage
1.3 Absolute Maximum Ratings
Unless otherwise specified, ratings are provided at T A =25°C and all bias levels are with respect to COM.
Parameter
Logic S u pply Voltage
High Side Floating S u pply Voltage
High Side Floating Offset Voltage
Logic Inp u t Voltage
High Side Floating O u tp u t Voltage
C u rrent Sense Voltage
FAULT O u tp u t Voltage
Allo w a b le Offset S u pply Voltage Transient
Symbol
V CC
V B
V S
V IN
V HO
V CS
V FLT
dV S /dt
Minimum
-0.3
-0.3
V B -12
-0.3
V S -0.3
V S -0.3
-0.3
-
Maximum
15
625
V B +0.3
V CC +0.3
V B +0.3
V B +0.3
V CC +0.3
50
Units
V
V/ns
Package Po w er Dissipation
8-Lead DIP
8-Lead SOIC
J u nction Temperat u re
Storage Temperat u re
P D
T J
T S
-
-
-
-55
1
0.625
150
150
W
°C
Absolute maximum electrical ratings are at 25°C
Absolute maximum ratings are stress ratings. Stresses in
excess of these ratings can cause permanent damage to
the device. Functional operation of the device at conditions
beyond those indicated in the operational sections of this
data sheet is not implied.
R03
www.ixysic.com
3
相关PDF资料
IX2R11S3T/R IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-SOIC
IX4R11S3T/R IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
IX6R11S6T/R IC DRVR HALF BRIDGE 4A 18-SOIC
IXA531S10T/R IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 48-MLP
IXA611S3T/R IC DRIVER HALF BRDG 600MA 16-SOI
IXBD4410PI IC LOW SIDE DRIVER 16DIP
IXD611S7T/R IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC
IXDD404SIA-16 IC MOSFET DRVR DUAL 4A 16-SOIC
相关代理商/技术参数
IX2127NTR 功能描述:IC MOSFET/IGBT DVR 600V 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:* 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IX21844N 功能描述:IC GATE DVR HALF 600V 14SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 驱动配置:半桥 通道类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL,VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.4A,1.8A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):600V 上升/下降时间(典型值):23ns,14ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:14-SOIC 标准包装:50
IX2204NE 功能描述:IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 驱动配置:低压侧 通道类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT 电压 - 电源:-10 V ~ 25 V 逻辑电压?- VIL,VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2A,4A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-,8ns 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:50
IX-250 制造商:Brainboxes 功能描述:INTASHIELD PCIE LP 1+1XRS232
IX2A11P1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IX2A11S1 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IX2A11S1T/R 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps 35V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IX2B11P7 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-PDIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127